脉宽调制器 |
专门设计用于与瞬态卷积和谐波平衡仿真器配合使用。谐波平衡仿真器能够提供周期性的稳态解决方案,没有长时间的加电瞬态,特别适合进行闭环分析,例如在有传导 EMI 等噪声时的回路稳定性。 |
ASM GaN 晶体管模型 |
最近,行业标准组织 CMC(紧凑模型委员会)针对 ASM GaN 晶体管模型制定了统一标准。ADS 支持由您的功率器件厂商和是德科技模型生成工具(W8598BP 电力电子模型发生器、用于进行高级建模的 PD1000A 功率器件测量系统,以及 W8538EP IC-CAP GaN 电力电子建模附件)所创建的模型。 |
SiC PowerMOS 晶体管模型 |
ADS 支持由您的功率器件厂商和是德科技模型生成工具(W8598BP 电力电子模型发生器、用于进行高级建模的 PD1000A 功率器件测量系统,以及 W8536EP/ET IC-CAP SiC PowerMOS 电力电子建模附件)所创建的 SiC PowerMOS 模型。 |
绝缘栅双极晶体管(IGBT)模型 |
ADS 支持由您的功率器件厂商和是德科技模型生成工具(W8598BP 电力电子模型发生器、用于进行高级建模的 PD1000A 功率器件测量系统,以及 W8537EP/ET IC-CAP IGBT 电力电子建模附件)所创建的 IGBT 模型。 |
通用栅极驱动电路 |
在早期设计阶段,在选定特定厂商的栅极驱动电路之前,可以先用该组件代替。一旦选定了特定组件,那么您便可以通过网表导入程序导入这个组件并替换原先的组件。我们支持 ADS、PSPICE、LTspice、HSPICE、Spectre 以及 SPICE 平台的伯克利源语。 |
通用 MOSFET 模型 |
与上述的通用栅极驱动电路一样,在早期设计阶段,在选定特定厂商的功率器件之前,可以先用这个模型代替。一旦选定了特定器件,那么您就可以使用适合的模型卡来替换这个通用 MOSFET 模型。与理想的开关组件不同,此模型是可以连续微分的。相比 1 级 MOS 这样简单的伯克利 SPICE 模型不同,这个模型可以节省费用。这些提升共同改善了仿真覆盖范围。此外,此模型已接近于在物理上可实现的晶体管。相反,理想开关通常在实际中是无法实现的。 |
非线性磁性 |
基于物理学的绕组模型、气隙和软硬铁磁芯。实施改良的 Jiles-Atherton 核心模型(该模型比其他实施更容易仿真,同时具有更高的精度)。您可以通过以下方式之一指定磁芯饱和与滞后特性:a)传统的 J-A 参数(饱和磁化,M_s;磁化可逆性,c;畴壁密度,a;钉扎击穿平均能量,k;域间耦合,α)或 b)从 B-H 曲线提取测量结果。您可以使用 MMF/磁通磁路创建一个简单的电感器和复杂的多抽头变压器。 |