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W7020E PathWave IC-CAP DynaFET 提取许可证包括一个专用的 UI 工具包，可以驱动测量，以及运行提取程序，提取 GaN 和 GaAs HEMT 器件的 Keysight DynaFET 模型。
特点
W7020E PathWave IC-CAP DynaFET 模型生成软件包括：
- 一站式软件包，包括先进的直流和 S 参数测量控制、神经网络训练和验证等功能
- 可与 NVNA S94522B 任意负载控制软件结合使用
- 可建立 GaN 器件动态自热和陷阱效应模型
- 与 NeuroFET 相比，在整个器件工作频率范围内的宽带性能更好
- 与 NeuroFET 相比，对大信号非线性（失真、负载牵引、PAE）和长期记忆效应的预测更准确
- 通过 Verilog-A 支持 PathWave 先进设计系统（ADS）和其他仿真器
Keysight DynaFET 模型代表着器件建模的另一个重大创新。 它能够建立动态自热和陷阱效应的模型，这些效应是由关键的 III-V FET 动态现象（例如漏极滞后、电流崩溃和栅极滞后）造成的。
DynaFET 采用了一种新的模型识别程序，可从大信号波形数据中识别（提取）陷阱状态和结点温度，并推导出这些动态变量与器件电气特性的详细耦合。 与 NeuroFET 一样，DynaFET 也使用了人工神经网络（ANN）来描述器件电荷和电流，但其公式包含器件温度和电荷陷阱状态，作为神经网络的额外输入。 完善的机器学习算法将会使用不同环境温度下的直流、S 参数和大信号波形测量数据来训练网络。 非线性波形数据是由是德科技非线性矢量分析仪（NVNA）在低基频（100MHz）、不同温度、直流工作点、功率电平和负载阻抗等条件下测得。
DynaFET 模型适用于高效率功率放大器、雷达应用以及 GaN 和 GaAs FET / HEMT 的低噪声放大器， 但不适用于开关或无源混频器应用。
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