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KEYSIGHT 电流-电压分析仪提供准确、低噪声的源和测量功能,这对于半导体器件特性分析和材料研究至关重要。这些分析仪旨在处理各种电流和电压水平,从飞安电流到高压扫描,在各种应用中提供精确、可重复的测量。凭借灵活的多通道配置和直观的软件控制,KEYSIGHT IV 分析仪有助于加速器件开发、可靠性测试和工艺优化。立即索取我们热门配置之一的报价。需要帮助选择?请查看以下资源。
支持对各类器件进行精确的IV特性表征,包括进阶 、模拟元件及低漏电流结构。
轻松执行单设备或多终端特性分析,适用于从早期研究到生产级测试的各类应用场景。
利用内置脉冲功能,以亚毫秒级分辨率和快速测量采集能力,在最小化自加热的同时捕捉高速设备行为。
EasyEXPERT 通过预配置的测量模板、实时绘图和数据比较功能,简化了测试设置与分析流程。
最大输出电流
1 A
最大输出电压
200 V
最小电流测量分辨率
0.1 飞安 至 5 皮安
最小电压测量分辨率
0.5 µV 至 100 µV
通道数
最多8个
是适用于各种材料和器件进行电流-电压表征的完整解决方案。E5260A支持多个SMU(电源/监测单元),能够执行电压/电流供应和电压/电流测量,并具备卓越的电流测量性能,可测量小至5皮安的电流。其模块化架构支持通过8个插槽配置或升级SMU模块。EasyEXPERT group+表征软件可安装在您的PC上,以支持表征过程中所需的所有任务,例如测量设置和数据分析。SMU 全面的测量功能与 GUI 表征软件强强组合,使 E5260A 成为表征和测试器件、材料、半导体、有源/无源器件或几乎任何其他类型电子器件的理想解决方案,并提供卓越的测量可靠性和效率。
KeysightEasyEXPERT 软件支持在整个表征过程中(从测量设置和执行,到结果分析和数据管理),通过交互式的手动操作或借助半自动晶圆探头的自动操作,在整个晶圆上实施高效且可重复的器件表征。EasyEXPERT 配备了多种易于使用的测量(应用测试),使您能够快速轻松地执行电流-电压表征。每次测量结束后,可选择将测试条件和测量数据自动保存至专属内置数据库(工作区),确保重要信息不丢失,并支持后续重复执行相同测量。凭借这些全面的测量功能,Keysight E5260A 提供了完整的电流-电压表征解决方案。
除了用作分析仪之外,E5260A 还可作为系统组件 SMU 在机架式和插拔式测试系统中使用。它为电流-电压测量提供了出色的可扩展性和高吞吐量。您可通过 FLEX 命令集对其进行远程控制,该命令集支持强大的测量功能。
是能对各种材料和器件进行电流-电压特性的完整解决方案。E5270B支持多个SMU(电源/监测单元),能够执行电压/电流供应和电压/电流测量。其具有卓越的电流测量性能,可测量最小0.1 fA的电流。其模块化体系结构使您能够利用8个插槽配置或升级SMU模块。图形用户界面的EasyEX电流测量。其具备卓越的电流测量性能,可测量小至0.1 fA的电流。模块化架构支持通过8个插槽配置或升级SMU模块。EasyEXPERT 软件可安装在您的PC上,支持表征过程中所需的所有任务,例如测量设置和数据分析。SMU全面的测量功能与GUI表征软件强强组合,使E5270B成为表征和测试器件、材料、半导体、有源/无源器件或几乎任何其他类型电子器件的理想解决方案,并提供卓越的测量可靠性和效率。
KeysightEasyEXPERT 软件支持在整个表征过程中(从测量设置和执行,到结果分析和数据管理),通过交互式的手动操作或借助半自动晶圆探头的自动操作,在整个晶圆上实施高效且可重复的器件表征。EasyEXPERT 配备了多种易于使用的测量(应用测试),使您能够快速轻松地执行电流-电压表征。每次测量结束后,可选择将测试条件和测量数据自动保存至专属内置数据库(工作区),确保重要信息不丢失,并支持后续重复执行相同测量。凭借这些全面的测量功能,Keysight E5270B 提供了一套完整的电流-电压表征解决方案。
除了用作分析仪之外,E5270B 还可作为系统组件 SMU 在机架和插拔式(stuck)测试系统中使用。它为电流-电压测量提供了出色的可扩展性和同类产品中较优异的测量精度。您可用 FLEX 命令集对其进行远程控制,该命令集支持强大的测量功能。
通过精心策划的支持方案、优先响应机制和快速周转时间,实现高效创新。
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KeysightCare ,享受卓越服务,获得专属技术响应等更多权益。
确保您的测试系统符合规格要求,并满足本地及全球标准。
通过内部讲师指导的培训和在线学习,快速掌握测量技能。
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电流-电压(IV)分析仪是一种精密仪器,通过在器件端子上同时提供和测量电流与电压,用于表征半导体器件的电气特性。 该设备通常由多个源表模块 SMU)构成,这些模块可同时输出电压或电流并测量另一参数。此类分析仪具备高分辨率、低噪声及宽动态范围等特性,对于提取阈值电压(Vth)、导通/截止电流比、漏电流、亚阈值斜率、电阻值、击穿电压及饱和电流等精确器件参数至关重要。 IV分析仪在工艺开发、器件建模、失效分析及可靠性测试中不可或缺,使工程师能够理解器件在各种电应力下的性能表现。基础 研究基础 当新型材料或器件架构(如有机半导体、二维材料或FinFET)需要精细化的电学探测基础 它们也成为基础 。
电流电压分析仪具有高度多功能性,可用于测试各类半导体器件与材料。其测试范围涵盖二极管、双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应管、结型场效应管等传统器件;IGBT、碳化硅及氮化镓基晶体管等功率器件;以及薄膜晶体管、有机场效应管、忆阻器等新兴器件。 IV分析仪同样适用于评估电阻、电容等无源元件、光伏电池及传感器接口。其可执行低至飞安级别的微电流测量能力,能精确表征绝缘材料与高阻抗节点;而支持高达数百伏的电压扫描功能,则可实现击穿分析与高压应力测试。 对于SOI器件、高介电常数栅极堆栈及多栅极FET等多端口结构,分析仪的多通道配置可实现跨端口同步测量,显著提升测试效率。
多通道IV分析仪显著提升了复杂或多器件结构的测试灵活性、并行性及测试覆盖率。每个通道通常由精密SMU供电,可独立运行或与其他通道同步,在特定端子处输出或测量信号。此功能对MOSFET(栅极、漏极、源极、体区)、FinFET或堆叠晶粒结构等器件至关重要,基础在不同偏压条件下测量端子间的交互作用基础 多通道配置streamline 元件阵列、含数百测试点的晶圆或带片上开关矩阵系统的streamline 。通道耦合、源/监测同步及进阶 功能支持跨节点实时评估器件行为,在提升测量精度与重复性的同时缩短测试时间。此外,测试序列化软件增强了自动化能力,并支持跨器件或晶圆复用测试方案。
脉冲IV测量技术用于精准捕捉半导体器件的电气特性,同时能有效抑制连续(直流)测试过程中可能出现的热效应与电荷捕获效应。通过施加微秒至毫秒级别的短时电压或电流脉冲,工程师可最大限度减少自发热现象——该问题在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)晶体管等功率器件及垂直结构中尤为突出。 脉冲测量基础 评估介电完整性、阈值偏移或进阶 中的滞后与捕获效应等瞬态现象基础 同样基础 。典型实现方案中,高速SMU或专用脉冲测量单元在施加波形的同时记录响应信号。 专为脉冲操作设计的IV分析仪具备紧凑的时序分辨率(亚毫秒级)、快速恢复能力和低建立时间。这些特性使工程师能够构建定制脉冲轮廓(如脉冲保持、双脉冲),并在真实开关条件下提取动态行为,这对验证高速或高压应用至关重要。
在选择IV分析仪时,工程师应仔细评估若干关键性能参数,以满足其应用需求。这些参数包括: