如何表征碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)开关器件

光伏阵列模拟器
+ 光伏 阵列仿真器

准确分析快速切换过程

与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带器件能够实现显著更快的开关速度,因此非常适合用于高效率的电力转换系统。然而,这些快速切换过程带来了测量方面的挑战,包括高 dv/dt 和 di/dt、电压过冲,以及由测试系统中的寄生电感引起的振铃现象。准确捕捉这些效应是基础 器件在开关事件中的行为基础 确保系统性能可靠基础 。

双脉冲测试是一种广泛应用于评估功率器件在受控条件下动态开关特性的方法。通过施加两个连续的脉冲,工程师可以在同时测量电压和电流波形的同时,分别分析导通和关断行为。这使得能够对开关过渡过程进行详细分析,包括时序、开关过程中的能量损耗以及瞬态效应。从这些测量中获得的见解有助于优化栅极驱动条件、降低开关损耗,并提高电力电子设计中的整体效率。

SiC 和 GaN 开关特性测试解决方案

该解决方案利用应用说明中所述的双脉冲测试技术,可对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件进行精确的动态特性分析。通过在开关事件期间捕获同步的电压和电流波形,工程师可以分析导通和关断行为,量化开关损耗,并观察过冲和振铃等瞬态效应。该方法支持在实际工作条件下准确评估器件性能,有助于工程师优化开关参数、提高效率,并验证面向高性能应用的功率器件设计。

了解我们针对 SiC 和 GaN 开关特性分析解决方案的产品

联系我们 标识

联系我们的专家之一

需要帮助找到适合您的解决方案吗?