如何表征硅光子学电光S参数

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硅光子器件S参数表征

硅光子集成电路（PIC）需要在带宽、插入损耗和频率响应方面进行精确的光电特性表征。 电光S参数测量是基础 现代光通信系统中高速电信号如何转化为光行为基础 。随着数据中心接口向1.6T和3.2T迈进，所需带宽正逼近并突破100 GHz，这对电光测试能力提出了新的要求。

晶圆级和芯片级测试带来了额外的复杂性，包括光学耦合效率、探针和电缆效应、校准参考平面以及夹具去嵌入。工程师必须确保测量结果具有可重复性和高保真度，能够将器件的真实响应与测试系统产生的干扰分离，同时保持足够的测量带宽，以便在封装和系统级集成之前准确表征下一代光电集成器件。

硅光子学表征解决方案

要准确表征电光S参数，需要在超宽带宽范围内实现电气激励与光学测量之间的紧密同步。是德科技的硅光子学表征解决方案采用带宽高达220 GHz的光波组件分析仪，用于生成高频电气激励并测量PIC器件的相应光学响应。 该功能支持对用于1.6T和3.2T数据中心架构的调制器和光探测器进行晶圆级和芯片级表征，从而能够精确提取相位和幅度均准确的S参数，以验证带宽和频率响应。
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