如何准确测量低频噪声

获取报价

查看应用说明

+ EDA软件

在晶圆层级测量低频噪声

为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件创建精确的低频噪声（LFN）模型，需要在封装和晶圆层级同时测量直流特性、闪烁（1/f）噪声和随机电报噪声（RTN）。仪器增强型噪声灵敏度和宽广噪声分析频率范围仪器测量仪器才能在超低频、高电流（高达1 A）或高电压条件下表征细间距MOSFET器件。

测量噪声功率谱密度（1/f噪声）及时域噪声，以全面表征MOSFET低频噪声特性。通过将晶圆探针与信号调理电路置于被测器件附近，最大限度减少扫描过程中的外部噪声干扰。实现探针台控制与晶圆映射自动化，消除外部噪声源并提升低频噪声模型精度。将测量数据导出至关联建模工具，开发稳健的MOSFET低频噪声模型。

集成式晶圆级噪声测量解决方案

准确测量MOSFET低频噪声（LFN）需要在晶圆级实现集成化解决方案。是德科技进阶噪声分析解决方案可实现快速的晶圆级1/f噪声和RTN测量。凭借-185 dBV²/Hz的噪声灵敏度，该方案能在高达200 V的高电压和低至30 MHz的超低频条件下精确表征大量器件。该方案集成了自动化晶圆级测量与晶圆映射软件。建模工程师可使用50个即用型测量驱动器，覆盖多数行业标准探针台。测量噪声数据可直接导出至是德器件建模软件，用于开发稳健的MOSFET低频噪声模型。

获取报价