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W8542EP IC-CAP VBIC BJT 模型提取

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W7011E PathWave IC-CAP BJT Plus Extraction Package Plus

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W8542EP IC-CAP VBIC BJT 模型提取套件包含 VBIC（垂直双极电晶体）双极模型的提取套件。

VBIC 垂直 BJT 模型由 IC 和 CAD 行业的代表企业专门开发而成，用于替代 SPICE Gummel-Poon 模型。

对于近期上市的器件而言，它是一种直观且物理结构保持一致的模型，通常可满足 BJT 器件建模的要求。然而，现代器件技术的改进日益要求 BJT 建模技术不断改进。部分技术变革如下：

基宽缩减
器件尺寸变小，器件结构也发生变化
掺杂剖面有所变动
寄生衬底晶体管

基宽缩减意味着高阶效应更加明显。Gummel-Poon 模型的厄利效应近似法无法精确地表征这些效应。

器件尺寸的缩小使得寄生重叠电容（Gummel-Poon 模型没有考虑这种效应）变得更加重要。随着基宽缩减，响应的非线性愈加明显。

掺杂剖面的变动增大了集电极电阻的类饱和效应，而 Gummel-Poon 模型无法考量这一点。

Gummel-Poon 模型中不包括寄生衬底晶体管。因此，直流和交流建模的精度达不到当前器件的要求。

为解决上述问题，IC 和 CAD 行业的代表企业共同为半导体行业研发出改进的标准 BJT 模型，即 VBIC 模型。该模型现可投入使用，并将随着未来的改进而不断发展。

VBIC 包括考虑到厄利效应（输出电导）、衬底电流、类饱和效应以及不同温度下特性的改进建模，根据这些必要信息可以建立当前先进器件的精确模型。然而该模型的定义过于复杂，如果使用默认参数的话，模型将会简化成与 Gummel-Poon 模型尽量接近。

与 Gummel-Poon 模型相比，VBIC 的优势在于：

厄利效应模型以结耗尽电荷为基础
经过修正的类饱和效应 Kull 模型可应用到 Kirk 体系（集电极的高注入效应）
包含寄生衬底晶体管
改进的单个结电容模型适用于全部三个结电容
改进的静态温标
对分布式基极和发射极交流与直流聚集进行一阶建模
整体改进的高级电荷扩散电容建模（包括类饱和电荷）
包含寄生重叠电容
包含基极集电结的初始弱雪崩电流
等式的高阶连续性（无限）
类似于 Gummel-Poon 模型的噪声模型，包含散射分量、热分量和 1/f 分量
代码中包括已定义的自热模型（带有挂钩）：自热模型将在今后的 VBIC 版本中提供

W8542EP IC-CAP VBIC BJT 模型提取套件假定被测器件是使用 P 型衬底制造的垂直双极 NPN 晶体管。

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