- 完整的提取流程——提供完整的全局模型逐步提取流程,用于 DC、CV 和散射参数测量
- 可完全定制——提取流程可以完全定制,与特定用户的参数提取策略紧密结合
- 容易使用——图形界面易于使用,并传承了是德科技行业领先的 SPICE 模型提取套件的设计理念,配备了许多可以提升生产率的特性
BSIM6 是半导体行业最新的基底 MOSFET 标准模型。与之前的产品(BSIM3 和 BSIM4)不同,BSIM6 是通过使用一种更偏向物理学表面电势/电荷的方法来设计的,但它与其他两种行业标准基底模型 PSP 和 HiSIM2 有一些共同点。与 BSIM4 相比,BSIM6 的主要优势在于它能够在零漏源偏压周围保持对称的输出特性。在电路工作期间漏源偏压跨越零点的某些应用(例如无源开关)来说,这是一项关键要求。
W8615EP BSIM6 模型生成软件提供了完整的模型提取解决方案。该软件是根据物理全局模型提取策略开发的。W8615EP 产品包含两个模块:基带(DC 和 CV)模型提取模块和射频模型提取模块。基带提取模块在 Model Builder Program(MBP)上运行,可以利用 CMOS 专用提取基础设施的优势。该基础设施经过优化,可高效处理大量器件,并同时监测大量可扩展性趋势,适应频繁的迭代提取循环需求。射频模型提取模块在 IC-CAP 器件建模软件上运行。该软件是 20 多年来深得业界信赖的唯一射频建模平台。这两个模块都可以完全定制,因此用户可以轻松地将特定用户的模型提取策略(例如去嵌入方法、提取步骤和顺序等)加入到现有的模型提取流程中。
产品要求
要想运行 BSIM6 模型生成软件,必须拥有 W8501EP/ET IC-CAP 环境、W8502EP/ET IC-CAP 仿真与分