- 概述
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- 支持
一体化、全面的半导体器件表征
KEYSIGHT 参数分析仪在一个集成平台上提供全面的半导体器件特性分析。这些模块化系统结合了精密电流-电压 (IV) 和电容-电压 (CV) 测试、脉冲测量和可靠性测试，支持从先进材料到大功率元件的各种器件。凭借业界领先的测量精度、灵活的配置选项和直观的软件控制，KEYSIGHT 参数分析仪有助于加速器件研究、开发和鉴定。 立即索取报价或订购我们热门的配置。 需要帮助选择？请查看以下资源。
灵活的模块化设计
通过配置多达10个可互换模块来满足各种测试需求，包括SMU、CV仪表、波形发生器和开关矩阵。
全范围测量
精确表征从亚飞伏安级漏电流到千伏级功率开关的器件，支持从低功耗研究到进阶 半导体测试的全方位需求。
面向未来的可扩展性
随着需求增长，可轻松通过添加更高功率模块、脉冲测量单元或切换功能来扩展测试覆盖范围，无需更换系统。
集成测试软件
通过图形化界面简化测试设置与分析，该界面包含预构建测试库、实时绘图功能以及进阶 比较工具。
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最大输出电流
1 A 直流 / 3 A 脉冲 至 2 A 直流 / 40 A 脉冲
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最小电流测量分辨率
0.1 飞安 至 10 飞安
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通道数
5 至 10
最受欢迎的配置
半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机
功率器件分析仪/曲线追踪仪
- 《参数测量手册》
- 电容测量用于器件特性分析
服务 支持
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确保您的测试系统符合规格要求，并满足本地及全球标准。
通过内部讲师指导的培训和在线学习，快速掌握测量技能。
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常见问题
参数分析仪是一种集成式模块化测试系统，将多种半导体测量功能（包括电流-电压（IV）、电容-电压（CV）、脉冲及开关测试）整合于单一机箱内。与独立式SMU或零散仪器配置不同，参数分析仪通过内置时序、自动化及分析软件，实现高度同步的多域测量。 该设备专为半导体器件特性分析优化，在灵活的测试架构中提供从飞安级到千伏级、安培级的高清晰度源/测量能力。其核心优势在于系统级协同性、配置便捷性和可扩展性，可实现更快的测试开发、跨仪器一致的时序控制，并能无缝测量基础及复杂器件结构，无需外部同步或人工集成。
参数分析仪广泛应用于各类半导体器件的研发、建模及可靠性测试。 它们是表征分立器件（如二极管、MOSFET、双极晶体管）、进阶 （如FinFET、HEMT）、功率元件（如IGBT、碳化硅/氮化镓场效应管）以及有机半导体、二维层或电阻式存储单元等新型材料的理想工具。 凭借超宽测量范围，参数分析仪可满足从测量栅极介质的超低漏电流到评估脉冲/连续偏压下高压器件击穿特性的全方位需求。其在电路级测试、建模参数提取（如Id-Vg、Id-Vd、gm、Ron）及静电放电（ESD）抗扰性研究中同样表现卓越。 学术实验室、半导体代工厂及器件制造商均依赖该设备，以确保从设计到生产的全生命周期内实现全面验证。
参数分析仪支持多达十个测量模块，用户可根据具体应用进行配置。这些模块包括精密SMU、高压或大电流SMU、电容测量单元（CMU）、快速脉冲模块（WGFMU）、开关矩阵等。 这种模块化设计使用户能够针对多端口器件定制系统，在单次扫描中同时执行IV和CV测试，或运行涉及电压应力、温度变化或时变击穿测试的自动化序列。 模块可随时增配、升级或替换，无需整体系统改造，确保设备具备前瞻性，能适配新型器件或测试方法。该设计同时支持同步触发、实时控制及内部路由功能，有效简化布线复杂度并最大限度降低寄生误差。
参数分析仪提供多种进阶 特性分析技术，这些技术在单一测试环境中紧密集成。其中包括：
- 准静态IV和CV测量：用于阈值电压、亚阈值摆幅、导通/截止电流比、栅极漏电流、结电容及体效应研究。
- 脉冲IV测试：在高功率或高速开关条件下，最大限度地减少器件的自加热和电荷陷阱效应。
- 电容-电压（CV）曲线分析：通过低频和高频CV方法提取掺杂分布曲线、氧化层厚度及界面态。
- 应力与可靠性测试：通过长期偏置和带记录功能的定时扫描，支持NBTI、HCI、TDDB和SILC等测试。
- 温度依赖性分析：配备热夹头或恒温腔室的接口，用于可变温度特性表征。
- 嵌入式分析工具：实时 绘图、参数提取模板（如gmmax、阈值电压偏移、导通电阻Rds(on)）、合格/不合格比较以及脚本API（如Python、SCPI）支持无需外部软件即可实现可重复的测试自动化与分析工作流程。
参数分析仪的选择主要取决于应用所需的目标电压、电流及测量精度。对于低功耗器件（如模拟IC、进阶 或传感器），配备精密低电流SMU（分辨率可达0.1飞安）和CMU的标准参数分析仪最为理想。这类系统能提供泄漏电流和亚阈值行为分析所需的灵敏度与稳定性。 相反地，针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率MOSFET或IGBT等大功率器件，则需选用支持高达3000V电压与1500A电流的分析仪。此类设备配备专用的功率型SMU，具备合规保护功能、高速瞬态响应测量能力，并配备操作人员与被测器件（DUT）双重防护的安全特性。工程师还应考虑：
- 脉冲宽度和上升时间特性，用于最小化热效应，
- 高压测量用屏蔽保护设计
- 被测设备的散热要求
- 与开关矩阵或晶圆测试仪的集成，以及
- 在高吞吐量环境中使用时，需测试吞吐量和自动化接口。