如何测量碳化硅MOSFET的阈值电压

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稳定的碳化硅（SiC）阈值电压（Vth）表征

碳化硅（SiC）功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压测量比传统的硅基场效应晶体管（FET）特性分析更为困难，因为滞后效应会导致阈值电压（Vth）随先前的栅极偏置条件而发生偏移。该应用说明指出，即使测量电路保持不变，不同的调制脉冲也会产生不同的提取阈值电压，从而难以实现器件评估的可重复性。

为解决这一问题，JEP183建议在测量前施加正向预置脉冲，以确保在Vth提取过程中，陷阱电荷保持在受控状态。基于B1505A/B1506A（搭配EasyEXPERT ）以及B2902C源极测量源（PathWave 曲线测量软件）的是德科技解决方案，可帮助工程师实施这些工作流程，从而实现更稳定、更准确且适用于实际应用的SiC MOSFET特性分析。

SiC MOSFET 阈值电压测量方案

要表征SiC MOSFET的阈值电压，需要采用受控的测量技术，以最大限度地减少滞后效应，并确保结果稳定且可重复。是德科技支持基于JEP183标准的阈值电压（Vth）表征，通过B1505A/B1506A功率器件分析仪/ 曲线追踪仪）上基于 JEP183 标准的阈值电压 (Vth) 表征，以及配合 B2902C源表模块 PW9251APathWave 曲线测量软件进行的高速波形驱动测量。这些方法使工程师能够降低测量变异性，获取一致的 Vth 值，并优化测量工作流程。综合而言，它们提供了灵活性，可在易用性、测试速度和系统集成要求之间取得平衡，以进阶 。
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