点播
半导体器件模型是连接代工厂与IC设计公司之间的桥梁。器件建模，顾名思义就是对器件或电路的电气行为——例如电流电压关系、电容电压关系以及S参数与频率关系等——进行数学描述。器件模型通过PDK方式集成到仿真工具中，这样IC设计工程师在电路设计软件中调用的器件，才能包含器件模型和版图信息。唯有精准的器件模型才能确保精确的电路仿真结果，从而加速产品上市进程。
器件模型有多种类型：紧凑模型（Compact Model）、宏模型（Macro Model）、Verilog-A模型等。随着半导体器件尺寸的缩小，越来越多的工艺采用分级模型（binning model）的方式。与传统的全局模型相比，分级模型能够提供更高的精度，但同时也带来了质量保证（QA）方面的问题。
在整个半导体工艺的开发周期内，每次规格修改都需要重新建立模型。我们将介绍如何运用重新定位（re-centering）方法快速完成器件模型的更新。与传统建模方法相比，使用重新定位技术可节省70%以上的时间。
过去十年间，氮化镓（GaN）已在射频、电力电子等多个行业领域产生重大影响。作为新型宽禁带化合物半导体材料，晶圆厂必须先完成器件建模工作才能应用GaN。由于GaN器件特性具有陷阱效应（trapping effect），因此也需要精确的模型来描述该效应。针对这一专题，我们也将展开讨论。
与会专家将分享他们在半导体器件建模领域的工程实践经验，探讨在实际项目中遇到的挑战与解决方案。
器件建模工程师，集成电路设计工程师