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HIGHLIGHTS
- 直流、CV 和射频 HiSIM v2.4.1 模型提取，用于建模 MOS/CMOS 高频效应
- 功能强大的直接提取流程，用于提取最佳的优化器初始值，从而避免繁琐的进一步优化和调整步骤
- 灵活的可定制提取流程
- 视窗形式的数据查看、优化和调整
- 共享用户界面环境，可提供用于其他行业标准模块的提取套件产品，包括 BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、PSP 和 HiSIM_HV。 通用测量模块支持您使用测量提取任意以上模块。
HiSIM2 模块提取套件（85194ML）提供完整的直流、CV 和射频模型参数测量与提取流程。 类似视窗的直观用户节目支持工程师快速生成精确模型。 该套件由 AdMOS 使用IC-CAP 软件环境的可用特性开发（85199A）。 请点击此处以了解更多关于 AdMOS 的信息
同时包括 HiSIM2.4 和 HiSIM-HV 模型提取套件的产品捆绑套件（85194RL）也已经发布。
行业标准模型高级表面势模型——HiSIM2 由日本广岛大学开发。 早期的紧凑模型（如 BSIM4）主要是为数字电路而开发的，当用于较小的技术节点上的模拟和射频应用时有一定的局限性。 HiSIM2 模型计算器件的表面势，支持更精确的深亚微米物理现象描述，可以获得更精确的电流和负载描述。
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