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HIGHLIGHTS
- 采用多种方法进行 PSP v103.1 的直流、CV 和射频提取，用于对 MOS/CMOS 的高频效应进行建模
- 通过稳定、直接的提取步骤找到优化器的最佳初始值，避免进行过多的优化和调谐
- 灵活且可定制的提取流程
- Windows 风格的数据显示、优化和调谐
- 提取套件产品中的共享用户界面环境可用于其他行业标准模型，包括 BSIM3、BSIM4、BSIMSOI4、HiSIM2 和 HiSIM_HV。公共的测量模块使您能够从测量结果中提取这些模型中的任意一个
W8550EP IC-CAP PSP 模型提取套件为直流、CV 和射频模型参数提供完整的测量和提取程序。Windows 风格的直观用户界面方便工程师快速生成精确的模型。
PSP 是一个先进的、可作为 CMC 行业标准模型的表面势模型，由亚利桑那州立大学和 NXP 半导体公司联合开发。早期的紧凑模型（如 BSIM4）主要是针对数字电路开发，在用于较小技术节点上的模拟和射频应用时有一定的局限性。PSP 模型可计算器件的表面势，从而更精确地描述深层亚微米级物理现象，以及内部电流和电荷情况。如需了解 PSP 模型的更多信息，请访问其网站。
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