高吞吐量 1 ns 脉冲 IV 存储器测试解决方案

是德科技 NX5730A 高吞吐量 1 ns 脉冲 IV 存储器测试解决方案专为执行高速脉冲 IV 测量和精确的直流测量而设计。

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  • 最大测量引脚数

    2

  • 最小电流测量分辨率

    1皮安

  • 最小电压测量分辨率

    不适用

  • 其他特性

    不适用

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关键性能

  • 通过对硅晶圆进行从直流到高速脉冲IV的全面测试,精确、快速地表征自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)等新型存储器。
  • 向 STT-MRAM 的磁性隧道结(MTJ)输入准确且高速的脉冲电压(最小 1 ns 脉冲),从而精确测量磁性隧道结的电阻。
  • 使用单一存储器测试解决方案执行所有典型的磁阻薄膜(MTF)表征测试
  • 比特误码率测试(BERT)等循环测试速度加快10至100倍
  • 在写入脉冲时,捕获并清晰显示磁隧道结开关波形
  • 采用是德科技专业技术打造的专用 1 ns 瞬态电压存储器测试解决方案
附件包括:
  • 系统机柜
  • PIV驱动器单元
  • PIV 接收器单元