IC-CAP 支持下列场效应晶体管(FET)模型。

模型 产品描述
Keysight EEFET3、Keysight EEHEMT1、Curtice Cubic 和 Quadratic、Raytheon Statz 针对所支持模型的完整测量和提取程序。
Keysight Root FET、MOS 和二极管 用于直流和射频 3 端子应用的自动建模程序,在器件的整个工作范围内使用 S 参数和直流数据阵列进行内插样条拟合。本许可证还包括针对 Keysight Root 二极管和 MOS 模型的提取功能。
Angelov-GaN 用于 Angelov-GaN 模型的精确一键式测量和提取解决方案

 

关于 IC-CAP 器件建模软件的更多信息,请访问 器件建模软件 IC-CAP

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