如何表征雪崩光电二极管的暗电流

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测量雪崩光电二极管的暗电流

对雪崩光电二极管(APD)进行暗电流表征时,需要在施加反向偏压的同时,以足够的灵敏度测量器件电流。测试应在无入射光的情况下进行,且测量装置必须能够满足APD所需的反向偏压范围。对于高压器件,电源必须能够提供所需的反向偏压水平,同时电流表需能分辨出微小的漏电流。

测量时,将APD连接到电压源和电流表,扫描反向偏置电压,并记录每个点处的电流。示例中通过图表形式的测量结果分析了电流-电压特性,可见在高偏置区域附近,电流出现显著增加。测量延迟非常重要,因为杂散阻抗和介电吸收会在电压阶跃后产生瞬态漏电流;延迟时间应足够长,以确保在测量电流之前,这些效应已稳定下来。

雪崩光电二极管暗电流解决方案

雪崩光电二极管的暗电流测试需要进行受控的反向偏置扫描、低电流测量,并在电压变化后留出足够的稳态时间,以将器件漏电流与测量路径的瞬态信号区分开来。是德科技 B2985C/87C 电计/高阻计将电压源与电流表相结合,因此可以在施加反向偏置电压的同时同步测量电流。 是德科技 B2985C/87C 电表/高阻表提供 0.01 fA 的电流分辨率,电流测量范围为 2 pA 至 20 mA,电压源输出最高可达 1,000 V,可支持可能需要数百伏电压的 APD 评估。

参见雪崩光电二极管暗电流解决方案的框图

雪崩光电二极管暗电流解决方案的框图

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