如何通过高精度IV测量对LED进行表征

模块化 PXIe 高精度 SMU
+ 模块化 PXIe 高精度 SMU

表征LED的电流-电压特性

对发光二极管(LED)进行电流-电压特性分析时,需要在提供受控偏置电压的同时,测量反向和正向偏置工作区域中的电流。反向偏置特性分析采用电压扫描配合低电流测量范围来捕获漏电流,并调整测量延迟和采样时间以补偿稳态过程和测量噪声。

正向偏置特性分析可采用窄脉冲电压,同时对电压和电流进行采样,以捕捉器件的瞬态行为。脉冲测量可采用四线制连接,而较短的脉冲宽度有助于减少器件的自发热。快速采样可捕获电压脉冲及相应的瞬态电流,从而能够评估器件随时间变化的响应。

高精度 LED IV 特性分析解决方案

要表征 LED 的电流-电压特性,需要在反向偏置条件下进行受控的电压源输出和灵敏的电流测量,并在脉冲正向偏置条件下进行快速采样。是德科技 PXIe 精密源/测量单元集成了电压和电流源输出及测量功能,电流分辨率可达 10 fA,电压分辨率可达 500 nV。它支持最小 20 µs 的脉冲宽度和最高 1.25 MSa/s 的采样率。 工程师可以进行低电流反向偏置扫描和窄脉冲正向电流测量,同时调整测量延迟和采样时间,以平衡稳态时间、噪声和测试时间。

参见高精度 LED IV 特性分析解决方案的框图

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