如何进行同步场效应管测量

索取报价
旗舰 台式源量测单元
+ 旗舰 源量测仪
旗舰 台式源量测单元
+ 旗舰 源量测仪

同步栅极和漏极测量

同步场效应晶体管（FET）测量利用两个协调工作的源极测量单元（SMU）通道，在采集相应电压点处的电流测量数据的同时，控制FET栅极和漏极的电气条件。对于典型的FET Id-Vg测量，一个通道用于控制栅极，另一个通道用于控制漏极。栅极通道在测量电流的同时提供电压扫描，而漏极通道在测量漏极电流的同时建立所需的漏极电压。 两个通道协同工作，确保在协调一致的栅极和漏极条件下采集测量数据。在所示配置中，通道 1 连接至 FET 栅极，并配置为电压源模式，栅极电流顺应性限制为 1 µA。其电压通过 101 个测量点从 0 V 线性扫描至 2 V，电压增量为 20 mV。 通道2连接至漏极，并配置为在相同的101个测量点上维持2 V的电压，其电流顺应度设定为100 mA。“高电平”和“低电平”连接提供了两个测量通道与被测器件之间的电气路径。由此获得的FET IV特性曲线记录了漏极电流随栅极电压变化的响应，从而可以将栅极电压与漏极电流绘制成传输特性曲线。 因此，该测量可同时协调电压源供应和电流采集，而无需独立编程的电压源和电流表。

同步还可以通过两个测量通道的触发参数进行控制。演示的晶体管表征流程最初采用自动触发模式，随后展示了如何将两个通道配置为同步触发。对于同步配置，将通道 1 和通道 2 的触发类型更改为 SYNC。源触发计数和测量触发计数分别配置为 101，这对应于测量中使用的 101 个扫描点。 应用说明中规定，源触发计数和测量触发计数应等于扫描点数。随后，对两个通道均应用了100 ms的测量触发延迟，以此演示如何根据各测量点控制采集时序。在同步测量设置中，还可以调整测量速度和量程。 文档中的操作流程展示了“正常”测量速度（对应一个电源线周期的孔径时间），以及自动电流量程操作，并给出了使用10 nA最小电流测量量程的示例。在配置好两个通道后，两个输出继电器均被启用，并触发了同步扫描。所得的FET Id-Vg测量结果可直接在“图形视图”中显示，其中栅极电压被选为X轴，而测得的漏极电流则构成传输特性曲线。 可选择线性或对数Y轴比例来查看不同的电流区域，同时也可通过测量结果列表查看各个FET IV特性测量点。

同步场效应管测量解决方案

要进行同步场效应管（FET）测量，需要两个协调工作的电压源和电流测量通道，这些通道既能施加栅极和漏极条件，又能同时在相应点采集测量数据。 是德科技的双通道精密源表模块 （SMU）提供两个具有独立IV测量能力的通道，并能提供恒定或扫频的电压和电流，从而能够通过单台仪器控制三端场效应管的栅极和漏极。对于同步场效应管测量，通道1可施加栅极电压扫频，而通道2则维持漏极偏置。 独立的合规性设置可限制每个通道的输出，而同步触发设置则协调源极供电与测量。演示中的FET Id-Vg测量在每个通道上使用101个测量点，展示了如何配置SYNC触发，使其源极和测量触发计数相等，并设置100 ms的测量触发延迟。测量速度和电流范围操作也可进行配置，以满足所需的晶体管特性分析条件。 前面板的图形用户界面支持完整的场效应管IV特性分析工作流程，无需测试程序。“单一视图”允许独立配置每个通道的源极和测量条件，而“图形视图”则显示生成的IV曲线。测量结果也可作为数据列表进行查看。该应用说明还记录了PathWave BenchVue 、PathWave IV Curve软件以及EasyEXPERT group+作为基于PC的测量工作流程的软件控制选项。
索取报价

参见同步场效应管测量方案的框图

如何进行同步场效应管测量

了解我们同步场效应管测量解决方案的相关产品

如何测量绝缘材料的电阻率

使用电计和电阻率池，高精度测量绝缘材料的表面电阻率和体积电阻率。

了解更多

如何设计和优化场效应管放大器

利用仿真和测量工作流程设计并优化场效应管（FET）放大器，以准确验证射频性能。

了解更多

如何表征双极型晶体管的IV特性曲线

利用同步双通道SMU测量来表征双极型晶体管（BJT）的电流-电压特性，从而实现精确的器件分析。

了解更多

联系我们 标识

联系我们的专家之一

需要帮助找到适合您的解决方案吗？

联系我们