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面向当今宽禁带技术的高功率器件测试
是德科技功率器件分析仪/曲线追踪仪是专为评估和表征高压、大电流半导体器件而设计的专用解决方案。 这些系统融合精准信号源、高速测量与全面分析功能，可支持功率晶体管、二极管、IGBT及碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带器件的关键测试。凭借可扩展的电压电流范围、集成安全特性及直观软件，是德科技解决方案助力加速开发进程、提升器件可靠性并streamline 测试。立即索取热门配置报价。需要选型帮助？请查阅以下资源。
宽测量范围
测试多种功率半导体 高达10千伏和3000安培半导体 源/测量能力，支持脉冲和稳态两种工作模式。
专用解决方案
表征具有快速开关性能和低导通电阻的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）器件，确保在实际工作条件下获得可靠的测试结果。
内置保护功能
通过集成联锁装置、合规限值控制及硬件安全防护措施，提升测试安全性，这些设计旨在同时保护被测设备和操作人员。
自动化就绪软件
通过曲线追踪界面简化功率器件验证流程，该界面专为快速设置、自动扫描及关键参数即时分析而设计。
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最大输出电流
200 A 至 3000 A
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最小电流测量分辨率
10 fA
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通道数
7 至 8
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支持的测量
直流电流/电压测试、脉冲电流/电压测试、1 kHz至5 MHz电压控制、3 kV高压电压控制、栅极电荷(Qg)、晶圆级电流/电压测试、热测试、功耗计算、导通、关断、开关特性、动态导通电阻、栅极电荷、反向恢复、动态电压/电流
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最大输出电压
1200 V 至 3 kV
最受欢迎的配置
用于电路设计的功率器件分析仪/曲线追踪仪
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动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪
进阶 功率器件分析仪 / 双脉冲测试仪
服务 支持
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KeysightCare ，享受卓越服务，获得专属技术响应等更多权益。
确保您的测试系统符合规格要求，并满足本地及全球标准。
通过内部讲师指导的培训和在线学习，快速掌握测量技能。
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常见问题
功率器件分析仪或曲线追踪仪是一种专门设计的测试系统，用于评估半导体 MOSFET、IGBT、GaN HEMT和SiC器件）的静态与动态特性。 该系统能够提供并测量高达数千伏的高电压和数百至数千安培的高电流，从而全面表征击穿电压、导通电阻、阈值行为、饱和电流等参数。 与基于标准SMU的配置不同功率分析仪 高能脉冲源、安全联锁装置、低电感布局及快速开关控制功能，可模拟真实工作环境的应力条件。这些特性对于验证宽禁带器件在电动汽车逆变器、工业电源转换及高频电源等应用至关重要——在这些场景中，器件失效或性能不足可能导致热损伤、效率损失或安全隐患。
曲线描绘是指在半导体器件上扫过电压或电流，并测量其响应以生成I-V曲线的过程，这些曲线揭示了器件在导通、饱和、击穿和漏电流区域的行为。这是表征器件非线性物理特性以及验证功率器件安全工作区（SOA）的基础。
这些分析仪专为执行静态和动态测量而设计基础 设备开发和应用验证基础 。主要测试类型包括：
- IV特性：包括输出特性（Id-Vds）、传输特性（Id-Vgs）、导通电阻（Rds(on)）及栅极漏电流（Igss）。
- 击穿电压（BVds）：在受控斜坡条件下进行的非破坏性或破坏性测试，用于确定雪崩能力。
- 栅极电荷（Qg）与输入电容：采用 动态充放电曲线或脉冲法评估开关能量与时序特性。
- 反向恢复与体二极管性能：用于评估开关过渡过程中的效率与损耗。
- 脉冲测量：短时脉冲可防止器件自加热，并能提取饱和电流或跨导等固有特性。
- 热响应：通过 重复脉冲测量或集成热控制系统，这些测试有助于评估器件在实际负载曲线下的稳健性。
功率器件的测试涉及潜在危险的能量水平，因此安全性成为功率分析仪 曲线追踪仪设计的关键因素。这些系统集成了多重安全防护层，包括：
- 硬件互锁装置：除非测试外壳已牢固关闭并接地，否则禁止激活高压。
- 软限值与合规设置：允许 用户定义最大电压/电流阈值，若超出限值则立即终止测试。
- 电弧检测与紧急停机：部分 系统配备快速响应的电弧传感器或可编程紧急停止按钮，以同时保护操作人员和被测设备。
- 低电感测试夹具和屏蔽外壳：降低电压过冲或寄生振荡的风险，这些现象可能损坏组件或导致危险状况。
- 软件安全检查：测试脚本通常包含测试前验证步骤、自动渐进测试和故障诊断功能，以确保可重复且安全的执行。
这些安全机制使工程师能够在保持高精度的同时，自信地测试额定值高达3千伏和1500安培的组件，并避免灾难性故障模式。
正确的选择取决于目标设备规格、测试参数和应用领域。关键考虑因素包括：
- 电压和电流范围：例如， B1506A支持高达3千伏和1500安培的测量范围，适用于汽车和工业电力设备。而PD1000A等额定值较低的系统则可能更适合消费类或电信应用。
- Pulse width and speed: Faster pulses (e.g., <10 µs) are needed for GaN devices with low charge and high-speed switching. Systems with fine pulse control and minimal inductance are preferred for accurate dynamic behavior.
- 测量分辨率与时序性能：高精度 模数转换器与纳秒级时序分辨率，显著提升了捕捉快速瞬态、过冲行为或二极管恢复现象的能力。
- 夹具兼容性与布局：根据您的封装类型（TO-247、模块、裸片），选择配备适配被测器件（DUT）支架、开尔文测量夹具或可定制测试台的系统。
- 软件与自动化：工程师可借助基于图形用户界面的控制界面、参数提取工具及脚本API，实现自动化表征、测试可重复性与数据集成。
- 安全合规与系统认证：确保分析仪符合实验室安全要求，并在高压环境中运行时配备故障安全装置。
最终，系统可扩展性、对未来设备世代的支持以及与热/电磁仿真数据的集成，也可能成为长期测试策略的考量因素。
曲线追踪仪专为快速图形化显示宽范围内的 I-V 特性而优化。源测量单元（SMU）可通过可编程控制实现精确的源供与测量。是德科技的功率器件分析仪/曲线追踪仪将两者集于一身，既具备曲线追踪仪的高速特性，又兼具基于 SMU 系统的精度与自动化优势。
曲线追踪仪通过执行电压/电流扫描来生成I-V特性曲线，从而展示器件在不同电应力下的工作特性。示波器仅显示电压随时间的变化，本身并不能表征器件参数或非线性区域。曲线追踪仪是专为半导体器件评估而设计的。
曲线追踪仪的工作原理是向器件施加受控的电压或电流扫描，同时测量并可视化其非线性响应。现代曲线追踪仪采用基于SMU的源流控制、快速脉冲测试和自动扫描控制，以揭示I-V曲线、电容特性、栅极电荷以及动态开关特性基础 评估当今半导体 基础 。