如何检测隐藏的引线键合缺陷

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发现传统测试和X射线检测可能遗漏的结构缺陷

引线键合结构测试旨在评估半导体封装中那些常规电气导通测试和X射线检测可能无法发现的缺陷。该过程通过测量内部金属结构（包括引线框架和引线键合）之间的电容耦合特性，在无需给被测器件通电的情况下，识别结构异常。

测试采用电气结构分析结合统计轮廓监测的方法，以识别与近短路、垂直引线下垂、芯片错误以及模具化合物问题等缺陷相关的异常电容特征。该方法支持对每个器件进行在线检测，同时保持大规模半导体制造的生产吞吐量。上述描述基于已上传的案例研究。

引线键合缺陷检测解决方案

检测结构性引线键合缺陷需要一种非破坏性检测方法，该方法能够识别出常规自动化测试设备和自动化X射线检测无法发现的隐藏故障。该解决方案将电容式电气结构测试与无向量测试增强探针技术相结合，无需给集成电路通电即可测量半导体内部结构的电气特性。 该系统可识别包括引线下垂、近短路、芯片放置错误和模塑化合物问题在内的缺陷，同时支持用于工艺监控的统计性部件平均测试（PAT）分析。 该解决方案具备并行测试能力，每小时吞吐量高达72,000个，可满足大规模生产需求，在实现全面检测覆盖的同时，减少误判率并最大限度地降低漏检缺陷。根据案例研究，概念验证测试表明，在3,000个集成电路样本中，该系统成功检测出了所有10处传统X射线检测未能发现的隐蔽引线键合缺陷。
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