如何测量绝缘栅双极型晶体管的击穿电压

自放电分析仪
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测量高压IGBT击穿特性

要表征绝缘栅双极晶体管(IGBT)的击穿特性,需要在施加受控的集电极-发射极电压的同时,测量由此产生的集电极漏电流。测量装置必须具备足够的高压源能力,同时能够分辨击穿前微小的漏电流。电压顺应性应根据器件的最大集电极电压规格进行配置,以确保电压扫描始终在预期的测量条件下进行。

测量过程在扫描集电极电压的同时,监测被测器件中的电流。在器件接近击穿之前,漏电流保持在较低水平,随后开始上升,从而可通过测得的电流-电压特性曲线识别出击穿区域。若测量范围延伸至千伏级工作区域,则需要配备合适的高压电源和测量路径,以实现同时施加电压和监测器件电流。

高压IGBT击穿测试解决方案

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的击穿测试需要扫描集电极-发射极电压,同时监测漏电流并保持适当的电压顺应性。是德科技功率器件分析仪/曲线追踪仪通过其超高压单元(UHVU)支持高压特性分析,将击穿测量范围扩展至10 kV。 本应用笔记演示了一项10 kV击穿测试,其中被测器件在约8 kV时发生击穿。是德科技功率器件分析仪/曲线追踪仪通过EasyEXPERT Group+提供交互式测量和分析功能,使工程师能够配置测试条件、显示电流-电压特性,并在整个高压工作区域内评估器件的行为。

参见“高压绝缘栅双极型晶体管击穿电压”解决方案的方块图

参见高压IGBT击穿测试方案的框图

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