如何在VCSEL测试中减少自热现象

模块化 PXIe 高精度 SMU
+ 模块化 PXIe 高精度 SMU

减少VCSEL测试过程中的自发热

垂直腔面发射激光器(VCSEL)的表征需要在施加受控电流脉冲的同时,测量器件的电学和光学响应。对于窄脉冲测试,电流脉冲必须足够短,以限制自加热现象,同时保持所需的脉冲幅值和上升时间。在脉冲期间采集电流和电压测量数据,以表征器件在所施加的工作条件下的行为。

该测试通过高速采样,测量窄脉冲期间的实际电流和电压波形。此外,还可以通过同步光电二极管电流测量光输出,以进行光-电流-电压(LIV)特性分析。所得测量结果提供了用于确定正向电压、阈值电流、光功率、光电二极管电流以及斜率效率或拐点等特性的电学和光学数据。

窄脉冲VCSEL测试方案

窄脉冲VCSEL测试需要一种电流源,该电流源不仅能够产生短脉冲,还能在脉冲测量窗口内捕获器件的响应。是德科技精密PXIe源/测单元(SMU)提供激光二极管模式,具有快速上升时间,且电流脉冲宽度可窄至10 µs。 内置的高速测量功能(最高达 15 MSa/s)可捕获实际电流脉冲以及动态电流和电压响应,无需额外的波形捕获仪器。该解决方案还支持高达 10.5 A 的脉冲电流源输出,能够对各种 VCSEL 器件和阵列进行窄脉冲特性分析。

窄脉冲VCSEL测试方案的框图

如何在VCSEL测试中减少自热现象

了解我们窄脉冲VCSEL测试解决方案中的产品

联系我们 标识

联系我们的专家之一

需要帮助找到适合您的解决方案吗?