如何表征SiC MOSFET的栅极电荷

功率器件分析仪/曲线追踪仪
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精确测量SiC栅极电荷

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极电荷特性分析需要在受控的栅极激励条件下,于规定的工作条件下测量栅极电压、栅极电流、漏极电压和漏极电流。静态测试将高压测量与大电流测量分开进行,并综合所得曲线;而动态测试则通过积分开关过程中的栅极电流来推导栅极电荷。

动态测试采用双脉冲测试电路,通过积分栅极电流来绘制栅极电荷-时间曲线,随后将其与栅源电压波形结合,生成Qg-Vgs特性曲线。必须配置栅极电阻、开关时间、感性负载、栅极电压、漏极电压和漏极电流等测量参数,以抑制振荡并确保参数提取的可靠性。

SiC MOSFET 栅极电荷测量方案

栅极电荷(Qg)特性分析需要在控制器件电压和电流工作条件的同时,测量整个开关过程中的栅极电流和栅极电压特性。 使用是德科技 B1506A 功率器件分析仪/曲线追踪仪进行静态测试时,会分别进行高电压和高电流下的 Qg 测量,并将结果拟合为完整的栅极电荷曲线。使用是德科技 PD1550A 双脉冲测试仪进行动态测试时,采用双脉冲测试方法,通过积分栅极电流来推导 Qg,并将其与栅源电压相关联。

参见 SiC MOSFET 栅极电荷测量方案的框图

参见 SiC MOSFET 栅极电荷测量方案的框图

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