如何表征宽禁带功率器件

+ 功率 器件分析仪 / 曲线追踪仪

准确测量宽禁带器件

宽禁带功率器件需要在宽工作范围内进行精确的电流-电压（IV）、电容-电压（CV）、栅极电荷和击穿测量。可靠的测量结果取决于稳定的测试条件、正确的仪器校准、减少振荡以及精心规划的测量流程。对于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件而言，这些因素尤为重要，因为它们具有快速的开关速度和较高的击穿电压。

该测量过程结合了适当的环境条件、仪器自检和自校准、优化的脉冲时序以及受控的测量模式，从而提高了重复性和可靠性。适当的电流合规性、脉冲测量技术以及优化的测试序列有助于减少振荡、防止硬件保护事件的发生，并为现代功率半导体器件提供一致的电气特性测试结果。

宽禁带功率器件表征解决方案

要对宽禁带功率器件进行精确表征，需要一种能够在整个测试过程中保持稳定工作条件的同时，测量多个电气参数的仪器。是德科技功率器件分析仪/曲线追踪仪将IV、CV和栅极电荷表征功能整合到单一平台中，同时提供专为高压和大电流半导体器件设计的测量模式。 Easy Test Navigator 和EasyEXPERT group+ 软件可简化测量配置、仪器自检、自校准以及自动数据采集。内置的测量控制功能、可配置的脉冲定时、可选的波形记录模式以及测量保护功能，有助于减少振荡、提高测量重复性，并在苛刻的功率半导体特性分析过程中保护被测器件和测量系统。

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