如何评估GaN电流崩溃效应

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评估氮化镓（GaN）电流崩溃现象

对氮化镓（GaN）功率器件进行表征时，需要评估在施加高压关断状态应力后的瞬态电流崩溃和动态导通电阻。测量系统必须支持高压偏置、快速切换至导通状态、同步电压和电流测量，以及在短时和长时时间间隔内进行高速采样，以便准确捕捉器件的瞬态行为。

测量过程包括施加关断状态应力电压、将器件切换至导通状态，并在状态转换后立即记录漏极电流和导通电阻。准确表征取决于同步的高电压和大电流测量、应力条件与测量条件之间的快速切换，以及在不同应力电压下捕获微秒至毫秒时间尺度的恢复行为。

GaN 电流崩溃解决方案

要评估氮化镓（GaN）的电流崩溃现象，需要施加高压关断状态应力，将器件快速切换至导通状态，并在微秒和毫秒时间尺度上捕获瞬态漏极电流和动态导通电阻。是德科技 B1505A 功率器件分析仪将高压和大电流源监测单元与 N1267A 高压源监测单元/大电流源监测单元快速开关相结合，可在单一集成平台上完成这些测量。这种同步测量架构可实现高达 3000 V 的关态应力、高达 20 A 的开态脉冲电流、短至 20 μs 的切换时间，以及用于观察瞬时电流崩溃和长期恢复行为的高速采样。内置的应用测试和波形测量模式简化了封装和晶圆级 GaN 器件的动态导通电阻和电流骤降评估，同时降低了设置复杂性，并消除了对定制测量编程的需求。

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