如何改进CMOS可靠性测试

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改进CMOS可靠性表征

进阶互补金属氧化物半导体（CMOS）技术仍在不断向更小的器件几何尺寸发展，这会增加电场强度和电流密度，从而可能缩短器件的使用寿命。工程师必须评估栅极介质完整性、热载流子效应（HCI）、偏压温度不稳定性（BTI）以及电迁移（EM），以确保器件的长期可靠性。

CMOS可靠性评估需要多种应力施加和测量技术，包括介电击穿测试、应力-测量-应力表征、电容测量以及互连可靠性测试。要实现准确的使用寿命估算，关键在于将应力中断降至最低、同时支持直流和交流应力条件，并简化复杂的可靠性测试工作流程。

全面的CMOS可靠性测试解决方案

评估CMOS可靠性需要一种测量解决方案，该方案既能执行多种可靠性测试，又能最大限度地简化测试设置并提高测量精度。是德科技B1500A半导体器件参数分析仪通过在单一模块化平台上整合高精度源/监测单元（SMU）、超快波形生成、电容测量以及即用型可靠性测试库，满足了这些要求。其灵活的架构支持栅极介质完整性、HCI、BTI 和电迁移测试，而EasyEXPERT 软件则通过内置的应用库和自动分析功能简化了测试设置。这些功能共同帮助工程师streamline 可靠性表征、提高测量重复性，并准确估算器件寿命。

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