如何提高晶圆上CV的准确度

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提高晶圆上CV的精度

要在晶圆上进行电容-电压测量，必须仔细控制探针连接、电缆阻抗和晶圆夹持器的影响，才能获得可重复的器件特性。该测量方案将电容测量与电流-电压测量相结合，同时保持稳定的信号传输路径并最大限度地减少寄生效应。

精确的测量取决于开路、短路和可选的负载补偿，以及优化的测试频率、信号电平、积分时间和电缆长度。正确的低端端子布线和回流路径设计可减少半导体器件表征过程中的泄漏、噪声和残余误差。

晶圆上CV精度解决方案

要准确表征CV和IV特性，需要稳定的四端子连接、受控的电流回流路径，以及对残余电缆阻抗和杂散导纳的补偿。 是德科技半导体器件分析仪将源/测和电容测量功能整合于单一平台，支持 CV 与 IV 路径之间的自动切换，支持屏蔽式两端子配置，并具备开路/短路/负载补偿功能，从而提高了测量精度。其图形化应用程序设置简化了参数输入和结果显示，而 1 kHz 至 5 MHz 的电容测量范围可支持多种器件和材料表征工作流程。
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参见“晶圆上 CV 精度解决方案”的框图

如何提高晶圆上CV精度的框图

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