如何测量CMOS偏置温度不稳定性

索取报价
参数分析器
+ 参数 分析器
参数分析器
+ 参数 分析器

以最小恢复量测量偏置温度不稳定性引起的性能退化

要表征偏压温度不稳定性（BTI），需要对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）施加电应力，并周期性地测量器件特性的变化。负偏压温度不稳定性（NBTI）主要影响在负栅极偏压下的PMOS器件，而正偏压温度不稳定性（PBTI）则可通过相应的应力条件进行评估。测量通常是跟踪阈值电压或漏极电流随累积应力时间的变化情况。

“应力-测量-应力”序列首先确定器件的电流-电压特性，施加选定的应力，然后进行周期性的点测或扫描测量。测量间隔必须很短，因为一旦去除应力，器件可能会开始恢复，从而可能导致测得的退化程度降低。还可以施加直流和交流应力并进行比较，以表征器件在不同工作条件下的行为。

快速偏置温度不稳定性测试解决方案

偏置温度不稳定性（BTI）测试需要在施加受控电应力时，将应力消除与器件测量之间的时间间隔缩短到最低限度。是德科技半导体器件分析仪支持利用源/监视单元及其波形发生器/快速测量单元（WGFMU）进行 BTI 测试。 WGFMU 将任意线性波形生成与超快电流-电压测量相结合，可施加直流和交流应力。它支持“施加应力-测量-施加应力”的测试模式，将应力中断时间降至最低，并能执行点测量和扫描测量。EasyEXPERT 包含 BTI 应用测试，以及采用电流采样和漏极电流-栅极电压测量方法的专用快速 BTI 测试。
索取报价

参见快速偏置温度不稳定性测试解决方案的框图

参见快速偏置温度不稳定性测试解决方案的框图

了解我们高速偏压温度不稳定性测试解决方案中的产品

如何通过编程实现SMU测量的自动化

利用可编程SMU控制和同步的多通道工作流程，实现IV测量和数据采集的自动化。

了解更多

如何对低功耗集成电路进行IV特性分析

利用同步SMU测量，对低功耗集成电路在睡眠状态和活动状态下的IV特性进行精确表征。

了解更多

如何进行小电流脉冲测量

利用基于精密SMU的IV特性分析技术，高精度地测量超低电流和窄脉冲特性。

了解更多

联系我们 标识

联系我们的专家之一

需要帮助找到适合您的解决方案吗？

联系我们