如何测量SiC MOSFET的阈值电压

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通过符合 JEP183 标准的测量序列将滞后效应降至最低

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压测量需要严格控制时间,以最大限度地减少阈值电压滞后效应的影响。JEDEC JEP183 指南规定,在提取阈值电压之前,应先施加一个调制脉冲,随后进行受控的测量序列,以稳定器件的行为。该测量需要可编程电压源、电流测量,以及调制脉冲与栅极电压扫描之间精确的时序控制。

该测量序列在执行JEP183定义的多种阈值电压(Vth)测量方法之一之前,会先施加一个栅极调制脉冲,这些方法包括固定漏极电压扫描、同步栅极和漏极扫描,或漏极-栅极短路配置。在保持推荐的时序要求的同时,于指定的漏极电流下提取阈值电压,以获得稳定且可重复的特性分析结果。

JEP183 SiC 阈值电压(Vth)测量方案

符合 JEP183 标准的阈值电压表征需要一套测量系统,该系统能够生成可编程的预处理脉冲、控制同步电压扫描,并从测得的电流-电压数据中精确提取阈值电压。是德科技半导体器件分析仪将这些功能与EasyEXPERT group+ 软件相结合,提供开箱即用的 JEP183 应用测试,可实现整个测量工作流的自动化。 工程师可以从多种内置的 Vth 测量方法中进行选择,自动配置测量时序,在指定的漏极电流下提取阈值电压,并将测量条件和结果保存到EasyEXPERT 工作区中,从而实现高效的分析与可重复的器件表征。

参见 JEP183 SiC Vth 测量解决方案的框图

JEP183 SiC Vth 测量方案的框图

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