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应用指南
大量采用存储器的电子设备，如MP3 音乐播放器，数码相机，移动电话，以及用固态存储器逐步取代硬盘，都在持续推动着闪存市场的增长。这一增长要求改进存储器密度，从而降低分摊到每一比特的成本。为同时满足高密度和更快程序执行速度的要求，内存制造商正越来越多地采用多比特或多电平单元 (MLC) 存储器技术。
电平单元要求在有限电压范围内存在多个编程状态。因此需要通过精确控制阈值电压 (Vth) 保持相邻状态间有足够的边际，从而能够正确读取存储器单元的状态。
一般来说，所使用的编程和验证方案要能够压缩不同状态的 Vth 分布，并保持足够边际以便正确读出状态。由于验证是在编程后立即进行，因此在编程后正确评估漏极/ 源极电流特性是非常重要的。如果编程和验证方案已经验证了 Vth 在目标范围内，之后存储器单元的 Vth 又有漂移，那么编程和验证方案也许不能产生预期的结果，Vth 有可能超过要求的界限。因此，重要的是要验证漏极/ 源极电流在编程后是稳定的。
此外，由于编程和验证方案在各存储器单元目标 Vth 实现前的迭代，快速编程执行多电平单元
也是重要的。提高总编程执行速度的另一方法是多个存储器单元并行执行编程，这就要求编程执行期间严格控制和限制流入存储器单元的电流。
精确控制 Vth 和更快编程执行是目前面临的新的参数测量挑战，比如在编程脉冲施加期间和之后需要进行高速的电流采样测量。由于闪存单元的编程执行速度在数十微秒的量级，因此高速电流的测量需要达到高于1 μs 的采样率。除了精确控制 Vth 外，随着器件尺寸的减小，必须十分关注闪存中的随机电报噪声 (RTN) 或随机电报信号(RTS) 噪声。随机电报信号噪声示出漏极电流中的随机波动，人们通常认为它是源于对单个电子的电荷捕获和释放。随机电报信号噪声也扩宽了闪存单元的 Vth 分布，并在多次编程/ 擦除 ( P/E) 周期后增大。最坏的情况可导致读取失败 (给予存储单元不正确的状态)，在45 nm及以上的先进生产流程节点中，这一失效模式尤为显著。因此评估闪存单元的随机电报信号噪声特性，对于先进生产流程节点中保持所制造多电平单元有足够的Vth 边际是极为重要的。
下载这篇应用指南，您将了解如何用 B1500A半导体器件分析仪的新波形发生器/快速测量单元模块解决闪存单元高速IV表征所面临的测量挑战。这些困难的测量包括 P/E 期间与其后的漏极/ 源极电流测量，以及进行随机电报信号噪声特性表征。
波形发生器/快速测量单元模块具有与其 ALWG 功能输出波形相同步的精确高速 IV测量能力。波形发生器/快速测量单元模块是集所有功能于一体的解决方案，它支持评估漏极/ 源极电流特性，并可替代庞杂的仪器解决方案 (如脉冲发生器，示波器和外部 IV转换器)。此外，波形发生器/快速测量单元模块的高速 IV测量能力也可用于执行闪存单元的精确随机电报信号噪声测量表征。
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