如何改进碳化硅栅极电荷测量

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优化碳化硅栅极电荷测量

对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行栅极电荷测量时，需要在控制漏极电压、漏极电流、栅极驱动及负载条件的同时，捕获栅极电流和栅源电压。器件和测试夹具中的寄生电感可能会导致栅极电流和栅极电压波形出现振荡，从而使最终得到的栅极电荷变化（Qg）曲线失真，并导致米勒台阶难以识别。

可以调整测量设置，以获得更平滑的波形，从而便于提取Qg值。可以提高栅极电阻以抑制振荡，同时脉冲时序和电感必须与较慢的开关响应相协调。负载的选择也会影响最终的曲线：感性负载和电阻性负载会产生不同的波形行为，而合适的配置取决于器件和测量条件。

优化的碳化硅栅极电荷测量方案

进阶要改进碳化硅（SiC）栅极电荷的测量，需要控制栅极电阻、开关时间、负载条件以及器件工作点之间的相互作用。是德科技（Keysight）的功率器件分析仪/曲线追踪仪和进阶动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪支持动态栅极电荷（Qg）测试，其可更换的Rg设计可在保持栅极回路低杂散电感的同时，评估不同的栅极电阻值。对于静态测量，功率器件分析仪/曲线追踪仪和动态功率器件分析仪/双脉冲测试仪支持高电压和大电流的 Qg 测试。选择合适的栅极驱动、Vdsoff 以及负载条件，有助于减少波形波动，并生成更一致的 Qg 曲线。

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