如何测量脉冲LED的特性

+ PXIe 高精度 SMU

使用窄脉冲测量LED响应

脉冲发光二极管（LED）的特性分析需要施加受控的正向偏压脉冲，同时测量电压和由此产生的器件电流。测量装置可采用四线制连接，在源测量单元与器件夹具之间分别设置施加和检测连接。在保持脉冲宽度和测量时序受控的同时，电压脉冲振幅在所需的工作点范围内进行阶跃变化。

在每个脉冲期间，系统会以高速采集电压和电流采样数据，以捕捉LED的瞬态响应。采用窄脉冲可缩短施加电能的持续时间，并有助于在特性分析过程中抑制器件的自发热。所得的时域测量结果显示了施加的电压脉冲及其相应的电流响应，从而使工程师能够考察器件在不同正向偏置水平下的行为。

窄脉冲LED特性分析解决方案

脉冲式 LED 的特性分析需要在产生短时正向偏压脉冲的同时，以精确的时序捕获相应的电压和电流响应。是德科技 PXIe 精密源/测量单元支持低至 20 µs 的脉冲宽度和高达 1.25 MSa/s 的采样率。其数字化功能可捕获每次施加脉冲期间的瞬态电压和电流。本应用笔记演示了使用 20 µs 脉冲和 800 ns 测量窗口时间，从 1.5 V 到 2.3 V 进行三点电压扫描。可采用四线连接方式，通过独立的施加端和感测端来执行脉冲 LED 测量。

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