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测试双脉冲测试（DPT）系统中的功率模块时，工程师需要同时测量低端和高端信号。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽带隙（WBG）功率模块集成了多个场效应晶体管（FET）芯片来增加电流，具有比分立功率器件更高的功率密度。 高速充电需要使用高达 400A 的大电流、高电压半导体，例如 SiC 和 GaN。 这类半导体采用了独特的半桥功率模块配置，需要分别测量高压侧器件源极与低压侧器件漏极之间结点处的电势。当半桥开关产生大电压摆动时，这个电势也会动态变化。 这样一来，对高压侧的 FET 进行测量就相当具有挑战性，尤其是在栅极电压较小的时候。
DPT 技术是用于确定功率半导体性能参数的行业标准。 测试工程师需要一款双脉冲测试仪，以便使用脉冲隔离探头技术准确收集栅极电压。 这个测试系统通过实施大带宽射频补偿，确保对大电流进行准确测量。 DPT 系统应当标配探头补偿、偏置调整、偏移校正和共模噪声抑制等先进的测量功能。 此外，工程师还需要一个半自动校准例程来校正系统增益和偏置误差。 测试系统应符合新 JEDEC 指南针对标准化 WBG 器件表征提出的要求。
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