如何测试宽禁带半导体功率模块

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+ 功率 器件分析仪

采用真实脉冲隔离探针技术表征WBG半导体功率模块

在双脉冲测试（DPT）系统中测试功率模块需要测量低侧和高侧信号。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）宽禁带（WBG）功率模块比分立功率器件具有更高的功率密度，通过集成多个场效应晶体管（FET）芯片来提升电流。高速充电需要使用半导体高达400 A的高电流、高半导体例如SiC和GaN。半导体独特的半桥功率模块配置半导体独立测量高侧器件源极与低侧器件漏极之间的结点电压，该电压随半桥开关动作产生动态变化，伴随大电压摆动。这使得高侧FET的测量变得尤为困难，尤其当栅极电压较低时。

DPT技术是测定功率半导体性能参数的行业标准。测试工程师需要采用脉冲隔离探针技术的双脉冲测试仪来获取精确的栅极电压。该系统依赖高带宽射频补偿技术实现精准的高电流测量。该系统应包含探针补偿、偏移调整、去偏移及共模噪声抑制等进阶技术，同时需配备半自动校准程序以修正系统增益与偏移误差。系统应符合JEDEC最新发布的宽禁带器件特性化标准化指南。

WBG半导体功率模块测试仪

测试在高电流和高带宽下运行的宽禁带半导体功率模块，需要采用脉冲隔离探针技术以满足JEDEC JC-70宽禁带标准对氮化镓和碳化硅的要求。是德科技宽禁带器件分析仪和测试仪（型号PD1550A）可对碳化硅半导体功率模块进行可重复、可靠的测量。该设备通过创新的脉冲隔离探针技术，解决了高侧栅极电压表征难题。支持测试高达1360V/1000A的功率模块，并采用节省时间的无焊接触技术连接被测模块。

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